一种自对准金属硅化物的沟槽型半导体器件及制造方法

摘要

一种自对准金属硅化物的沟槽型半导体器件及制造方法，该方法包括：利用源区掩模形成基区；利用沟槽掩模蚀刻出沟槽，并沉积多晶硅；注入磷元素，形成源区；在所述多晶硅和源区表面形成硅化物；沉积铝铜合金，形成源极金属垫层，栅极金属垫层和金属连线。本发明的制造方法由于采用了较少的掩模板,减少了自对准金属硅化物的沟槽型半导体器件的制造工序和污染，保证了半导体器件的阈值电压等电参数的一致性。由于本发明的制造方法简单、容易，制造工艺容易实现，使器件的质量以及可靠性得到了较大的提高。

主权项

一种自对准金属硅化物的沟槽型半导体器件的制造方法，该方法包括以下步骤：1）在衬底的外延层上沉积第一氧化层，蚀刻所述第一氧化层形成源区掩模，然后在暴露的外延层部分注入硼元素，並将其推进扩散到外延层中形成基区；2）在暴露的外延层表面生成屏敝氧化层，沉积光刻涂层，并对其进行蚀刻形成沟槽掩模，利用沟槽掩模，在暴露的外延层部分蚀刻出沟槽，移除光刻涂层，并对暴露的外延层部分、沟槽侧壁和底部表面进行牺牲氧化，然后再形成第二氧化层；3）在沟槽中沉积以掺杂的多晶硅，并对多晶硅进行回蚀，然后在暴露的外延层部分注入磷元素，并采用退火作业将其推进扩散到基区中形成源区；4）在所述多晶硅和源区表面形成硅化物；5）在顶层沉积铝铜合金，形成源极金属垫层，栅极金属垫层和金属连线。