在基片上镀制ITO薄膜的方法

摘要

本发明提供了一种新型的ITO镀膜工艺，步骤包括：提供一具有导热性能的平板，置于真空溅射腔室内；对平板进行均匀预热，并使平板温度达到镀膜所需温度；将平板输送至阴极下方；并调整靶材加载功率、工作气体流量和辅助气体流量；将至少一个需要镀制ITO薄膜的基片摆放在平板上，进行预热；通过溅射，在基片上沉积ITO薄膜至所需厚度。本发明所提供的方法，能够避免背面绕射，简化窗口层的工艺流程，能够在小尺寸硅片上实现均匀性镀膜，适合于HIT、单晶/多晶硅等光伏电池的大批量生产，并且所制备的ITO薄膜具有低的方块电阻和高透明度。

主权项

一种在基片上镀制ITO薄膜的方法，其特征在于，步骤包括：步骤1，提供一具有导热性能的平板，置于真空溅射腔室内；步骤2，对平板进行均匀预热，并使平板温度达到镀膜所需温度；步骤3，将平板输送至阴极下方；并调整靶材加载功率、工作气体流量和辅助气体流量；步骤4，将至少一个需要镀制ITO薄膜的基片摆放在平板上，进行预热；步骤5，通过溅射，在基片上沉积ITO薄膜至所需厚度。