| 发明名称 | 半导体结构的形成方法 | ||
| 摘要 | 一种半导体结构的形成方法，包括：提供半导体衬底；在所述半导体衬底上由下至上依次形成层间介质层和掩膜层；形成贯穿层间介质层和掩膜层厚度的通孔；在所述通孔内形成铜金属层，所述铜金属层的上表面低于所述层间介质层的上表面；在所述铜金属层和掩膜层的上表面以及铜金属层上方通孔的侧壁上形成氮化铝粘附层；在所述氮化铝粘附层上形成第一阻挡层，位于铜金属层上方第一阻挡层的上表面不低于层间介质层的上表面；进行平坦化工艺，至暴露出所述层间介质层。本发明通过在铜金属层和第一阻挡层之间形成氮化铝粘附层，提高了铜金属层和第一阻挡层的结合度，所形成的半导体结构的性能好、成品率高。 | ||
| 申请公布号 | CN103928389A | 申请公布日期 | 2014.07.16 |
| 申请号 | CN201310009273.8 | 申请日期 | 2013.01.10 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 | 发明人 | 周鸣 |
| 分类号 | H01L21/768(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/768(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人 | 骆苏华 |
| 主权项 | 一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底；在所述半导体衬底上由下至上依次形成层间介质层和掩膜层；形成贯穿层间介质层和掩膜层厚度的通孔；在所述通孔内形成铜金属层，所述铜金属层的上表面低于所述层间介质层的上表面；在所述铜金属层和掩膜层的上表面以及铜金属层上方通孔的侧壁上形成氮化铝粘附层；在所述氮化铝粘附层上形成第一阻挡层，位于铜金属层上方第一阻挡层的上表面不低于层间介质层的上表面；进行平坦化工艺，至暴露出所述层间介质层。 | ||
| 地址 | 201203 上海市浦东新区张江路18号 | ||