| 发明名称 | 磁阻存储器的形成方法 | ||
| 摘要 | 一种磁阻存储器的形成方法，包括：提供半导体衬底，在所述衬底上形成有金属间介质层；在所述金属间介质层中形成沟槽；形成衬垫材料层、位于所述衬垫材料层上的布线层，覆盖所述金属间介质层、填充所述沟槽；去除高出所述金属间介质层上的衬垫材料层的布线层，剩余沟槽中的布线层，为布线；形成覆盖层，覆盖所述布线和沟槽侧壁的衬垫材料层；去除未被覆盖层覆盖的衬垫材料层，剩余的衬垫材料层为衬垫层；去除未被覆盖层覆盖的衬垫材料层后，在所述布线上形成磁性隧道结。在本发明中，覆盖层覆盖沟槽侧壁的衬垫材料层，则可以形成完整的衬垫层。进一步地，衬垫层可以更好地增强作用于磁性隧道结的电流磁场的磁场强度，显著提升磁阻存储器的性能。 | ||
| 申请公布号 | CN103928608A | 申请公布日期 | 2014.07.16 |
| 申请号 | CN201310009261.5 | 申请日期 | 2013.01.10 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 | 发明人 | 李海艇;黄河 |
| 分类号 | H01L43/12(2006.01)I | 主分类号 | H01L43/12(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人 | 骆苏华 |
| 主权项 | 一种磁阻存储器的形成方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底，在所述衬底上形成有金属间介质层；在所述金属间介质层中形成沟槽；形成衬垫材料层、位于所述衬垫材料层上的布线层，覆盖所述金属间介质层、填充所述沟槽；去除高出所述金属间介质层上的衬垫材料层的布线层，剩余沟槽中的布线层，为布线；形成覆盖层，覆盖所述布线和沟槽侧壁的衬垫材料层；去除未被覆盖层覆盖的衬垫材料层，剩余的衬垫材料层为衬垫层；去除未被覆盖层覆盖的衬垫材料层后，在所述布线上形成磁性隧道结。 | ||
| 地址 | 201203 上海市浦东新区张江路18号 | ||