半导体器件及其制造方法

摘要

本申请公开了一种半导体器件及其制造方法。一示例器件可以包括：衬底，衬底中形成有阱区，所述阱区包括第一部分和第二部分，第一部分相比于第二部分掺杂浓度较低，且更接近衬底的表面；在衬底的表面上形成的鳍状结构；在衬底的表面上形成的隔离层，该隔离层露出鳍状结构的一部分，鳍状结构的露出部分用作该半导体器件的鳍；以及在隔离层上形成的与鳍相交的栅堆叠，其中，仅在鳍与栅堆叠相交的部分下方的区域中形成有穿通阻挡部。

主权项

一种制造半导体器件的方法，包括：在衬底中形成阱区，所述阱区包括第一部分和第二部分，第一部分相比于第二部分掺杂浓度较低，且更接近衬底的表面；在衬底的表面上形成鳍状结构；在衬底的表面上形成隔离层，隔离层露出鳍状结构的一部分，鳍状结构的露出部分用作该半导体器件的鳍；在隔离层上形成牺牲栅导体层，所述牺牲栅导体层经由牺牲栅介质层与鳍状结构相交；在牺牲栅导体层的侧壁上形成栅侧墙；在隔离层上形成电介质层，并对电介质层进行平坦化，以露出牺牲栅导体层；选择性地去除牺牲栅导体层，从而在栅侧墙内侧形成栅槽；经由栅槽，在鳍下方的区域中形成穿通阻挡部；以及在栅槽中形成栅导体。