发明名称 |
磁性接面与记忆体及提供用于磁性装置的磁性接面的方法;MAGNETIC JUNCTION, MAGNETIC MEMORY AND METHOD FOR PROVIDING MAGNETIC JUNCTION FOR USE IN MAGNETIC DEVICE |
摘要 |
提供一种磁性接面。所述磁性接面包含参考堆叠、非磁性间隔物层以及自由层。参考堆叠包含高垂直磁性各向异性(PMA)层以及位于高PMA与非磁性间隔物层之间的分级极化强化层(PEL)。PEL与参考层磁性地耦合。PEL包含磁性层以及非磁性插入层。PEL的至少一部分具有大于PMA层的自旋极化的自旋极化。非磁性插入层经设置以使得磁性层铁磁性地耦合且高PMA以及非磁性间隔物层的结晶取向解耦。每一非磁性插入层的厚度不足以使结晶取向在剩余非磁性插入层不存在的情况下解耦。当写入电流穿过磁性接面时,自由层可在稳定磁性状态之间切换。 |
申请公布号 |
TW201428898 |
申请公布日期 |
2014.07.16 |
申请号 |
TW102143129 |
申请日期 |
2013.11.27 |
申请人 |
三星电子股份有限公司 |
发明人 |
沃茨 史蒂芬M;文基锡 |
分类号 |
H01L21/8247(2006.01);H01L27/115(2006.01) |
主分类号 |
H01L21/8247(2006.01) |
代理机构 |
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代理人 |
詹铭文 |
主权项 |
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地址 |
SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD. 南韩 |