用以沉积具有低表面粗糙度及低电阻率之钨膜的方法;METHOD FOR DEPOSITING TUNGSTEN FILM WITH LOW ROUGHNESS AND LOW RESISTIVITY

摘要

本发明提供具备低表面粗糙度之低电阻率钨主体层的制作方法以及相关设备。根据不同实施例,该方法涉及在高压与/或高温下以化学气相沉积法(CVD)沉积钨。在一些实施例中,该CVD沉积发生在有交替式氮气脉冲存在的情况之下,使得薄膜的交替部份藉由CVD在缺少氮气与具有氮气的情况之下沉积。