发明名称 半导体发光元件;SEMICONDUCTOR LIGHT-EMITTING DEVICE
摘要 本揭露之半导体发光元件之一实施例包含一基板、设置于该基板上方之一第一导电型半导体层、设置于该第一导电型半导体层上方之一发光结构、以及设置于该发光结构上方之一第二导电型半导体层。在本揭露之一实施例中,该基板包含一上表面以及复数个以周期方式设置于该上表面之凸块;该第一导电型半导体层包含复数个第一突出部,朝向该凸块间之基板。在本揭露之一实施例中,该第一突出部系以环状方式设置于该第一导电型半导体层之外缘区,且该第一突出部与该凸块分隔。
申请公布号 TW201428998 申请公布日期 2014.07.16
申请号 TW103101342 申请日期 2010.04.29
申请人 广镓光电股份有限公司 发明人 戴俊杰;黄彦杰;杨淑莹
分类号 H01L33/22(2010.01);H01L33/38(2010.01) 主分类号 H01L33/22(2010.01)
代理机构 代理人
主权项
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