降低HEMT器件欧姆接触电阻的方法

摘要

本发明公开了一种降低HEMT器件欧姆接触电阻的方法，涉及氮化物的制备方法技术领域。所述方法包括以下步骤：1）外延结构生长，依次在衬底上形成GaN层和势垒层；2）在势垒层的上表面生长SiO₂层；3）在漏源欧姆区域刻蚀SiO₂层至势垒层的上表面；4）在源漏欧姆区域刻蚀GaN材料，刻蚀至GaN层和势垒层异质结界面以下，而后使用高温退火炉在纯氮气氛或真空气氛中进行退火处理；5）在源漏欧姆区域二次外延n型重掺杂GaN材料；6）腐蚀掉势垒层上表面剩余的SiO₂。所述方法改善了n型重掺杂GaN与GaN异质结侧壁的欧姆接触，降低了n型重掺杂GaN与GaN异质结侧壁的接触电阻。

主权项

一种降低HEMT器件欧姆接触电阻的方法，其特征在于包括以下步骤：1）外延结构生长，依次在衬底上形成GaN层和势垒层；2）在势垒层的上表面生长SiO₂层；3）利用反应离子刻蚀设备在漏源欧姆区域刻蚀SiO₂层至势垒层的上表面；4）利用电感耦合等离子体刻蚀设备在源漏欧姆区域刻蚀GaN材料，刻蚀至GaN层和势垒层异质结界面以下，而后使用高温退火炉进行退火处理；5）利用MBE或MOCVD设备在源漏欧姆区域二次外延n型重掺杂GaN材料；6）腐蚀掉势垒层上表面剩余的SiO₂，得到未生长漏源电极的HEMT器件。