一种场终止型IGBT 器件的制造方法

摘要

本发明提供一种场终止型IGBT器件的制造方法，包括：1）提供一N-型半导体衬底，基于所述N-型半导体衬底进行IGBT制备的正面工艺，包括：制作栅极结构、P阱、N+型源区、具有接触孔的介质层、以及用于连接所述P阱及N+型源区的P+型接触区；2）从背面减薄所述N-型半导体衬底，并通过外延工艺于该背面形成N+型场终止区；3）采用离子注入及退火工艺于所述N+型场终止区中形成P+型集电区；4）分别于正面及背面沉积金属，并进行退火形成IGBT的发射极及集电极。本发明通过将背面场终止层用注入方式转变为外延方式，同时对工艺步骤进行了调整，这样通过外延的方式一方面可以直接通过工艺调整厚度，另一方面也提高了场终止层电阻率的可调整性。

主权项

一种场终止型IGBT器件的制造方法，其特征在于，所述制造方法至少包括以下步骤：1）提供一N‑型半导体衬底，基于所述N‑型半导体衬底进行IGBT制备的正面工艺，包括：制作栅极结构、P阱、N+型源区、具有接触孔的介质层、以及用于连接所述P阱及N+型源区的P+型接触区；2）从背面减薄所述N‑型半导体衬底，并通过外延工艺于该背面形成N+型场终止区；3）采用离子注入及退火工艺于所述N+型场终止区中形成P+型集电区；4）分别于正面及背面沉积金属，并进行退火形成IGBT的发射极及集电极。