采用负电容中和技术的高速激光二极管驱动器集成电路

摘要

采用负电容中和技术的高速激光二极管驱动器集成电路，属于集成电路领域，本发明目的是在不增加驱动器功耗的同时增大驱动器的电压增益-3dB带宽，增强高频调制电流输出能力，改善输出高频电流信号的眼图特性。本发明采用负电容中和技术的高速激光二极管驱动器集成电路，它由m级放大器级联构成，m为大于或等于1的自然数；m级放大器中的第n级放大器为采用负电容中和技术的可控增益放大器，n≤m，第n级放大器包括差分放大器和源极跟随器；所述差分放大器包括可控电流源I_n1、NMOS晶体管N_n1、NMOS晶体管N_n2、负载电阻R_n1、负载电阻R_n2、电容C_n1和电容C_n2；所述源极跟随器包括可控电流源I_n2、可控电流源I_n3、NMOS晶体管N_n3和NMOS晶体管N_n4。

主权项

采用负电容中和技术的高速激光二极管驱动器集成电路，它由m级放大器级联构成，m为大于或等于1的自然数；其特征在于，m级放大器中的第n级放大器为采用负电容中和技术的可控增益放大器，n≤m，第n级放大器包括差分放大器和源极跟随器；所述差分放大器包括可控电流源I_n1、NMOS晶体管N_n1、NMOS晶体管N_n2、负载电阻R_n1、负载电阻R_n2、电容C_n1和电容C_n2；所述源极跟随器包括可控电流源I_n2、可控电流源I_n3、NMOS晶体管N_n3和NMOS晶体管N_n4；电源VDD同时连接负载电阻R_n1的一端、负载电阻R_n2的一端、NMOS晶体管N_n3的漏极和NMOS晶体管N_n4的漏极；负载电阻R_n1的另一端同时连接NMOS晶体管N_n1的漏极、电容C_n1的一端和NMOS晶体管N_n3的栅极；电容C_n1的另一端同时连接NMOS晶体管N_n2的栅极和m级放大器中的第n‑1级放大器的输出端Von_n‑1；NMOS晶体管N_n2的漏极同时连接NMOS晶体管N_n4的栅极、电容C_n2的一端和负载电阻R_n2的另一端；电容C_n2的另一端同时连接m级放大器中的第n‑1级放大器的输出端Vop_n‑1和NMOS晶体管N_n1的栅极；NMOS晶体管N_n1的源极和NMOS晶体管N_n2的源极的公共节点Vm_n连接可控电流源I_n1的正极，可控电流源I_n1的负极接地GND；NMOS晶体管N_n3的源极同时连接可控电流源I_n2的正极和第n级放大器的输出端Vop_n，可控电流源I_n2的负极接地GND；NMOS晶体管N_n4的源极同时连接可控电流源I_n3的正极和第n级放大器的输出端Von_n，可控电流源I_n3的负极接地GND。