半导体元件与其制造方法;SEMICONDUCTOR DEVICE AND FABRICATING THE SAME

摘要

本发明有关于一种半导体元件与其制造方法,元件包括:基板,基板具有N型场效电晶体区域(N-FET)、闸极区域位于N-FET之中、源极及汲极区域受到位于N-FET中之闸极区域的分隔而彼此隔离,以及第一鳍状结构位于N-FET的一闸极区域之中。第一鳍状结构包括第一半导体材料层作为下方部份、半导体氧化物层作为中间部份以及第二半导体材料层作为上方部份。第二鳍状结构位于N-FET的源极/汲极区域之中。第二鳍状结构包括第一半导体材料层作为下方部份,以及第一半导体氧化物层作为第一中间部份并且直接接触位于闸极区域中之第一鳍状结构的中间部份。