| 摘要 |
本发明涉及半导体晶圆的连续处理方法,根据具备多个腔室,并具备围绕腔室外部的外部机体的装置,处理晶圆的半导体晶圆连续处理方法,包括:第1步骤,多个腔室由第1至第5腔室构成,在第1腔室装载晶圆后,注入惰性气体进行净化;第2步骤,移送完成第1步骤的晶圆至第2腔室,在第2腔室内部注入制程气体后,加热晶圆;第3步骤,移送完成第2步骤的晶圆至第3腔室,在第3腔室内部注入制程气体后,加热晶圆;第4步骤,移送完成第3步骤的晶圆至第4腔室,第4腔室的内部在大气压以下的压力状态,加热晶圆;第5步骤,移送完成第4步骤的晶圆至第5腔室,在第5腔室的内部注入制程气体后,加热晶圆;第6步骤,移送完成第5步骤的晶圆至第1腔室,冷却晶圆后卸载至外部,使其他晶圆装载至在第1腔室。本发明为使半导体连续处理装置的回流装置的工作站个数减少,将制程步骤单纯化,进而具有缩减制程时间、提高生产,并且缩减回流装置的大小且减少费用的效果。 |
