| 发明名称 | 半导体面电阻均匀性的改善方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种半导体面电阻均匀性的改善方法，提供一MOCVD设备，该MOCVD设备包括一加热器，所述加热器的边缘形成有一圈气孔，清洗气体通过所述气孔沿竖直衬底的方向流向半导体的边缘，通过控制所述清洗气体的流量以改变半导体边缘成膜的厚度，减小半导体中心电阻与边缘电阻之间的电阻差。本发明通过直接改变半导体边缘成膜的厚度，可以有效控制半导体边缘电阻的大小，大大减小半导体边缘与中心部位的电阻差，实现电阻均匀性的最优化。 | ||
| 申请公布号 | CN103928291A | 申请公布日期 | 2014.07.16 |
| 申请号 | CN201310011518.0 | 申请日期 | 2013.01.11 |
| 申请人 | 无锡华润上华科技有限公司 | 发明人 | 陆健;张贵军;沈健;尤丽丽 |
| 分类号 | H01L21/02(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/02(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人 | 常亮 |
| 主权项 | 一种半导体面电阻均匀性的改善方法，其特征在于：通过改变半导体边缘成膜的厚度，以减小半导体中心电阻与边缘电阻之间的电阻差。 | ||
| 地址 | 214028 江苏省无锡市国家高新技术产业开发区新洲路8号 | ||