含应变硅层的半导体器件的形成方法

摘要

本发明公开了一种含应变硅层的半导体器件的形成方法，该方法利用一个硬掩模层同时定义出NMOS晶体管区域的被施加张应力的应变硅层的位置，及PMOS晶体管区域的被施加压应力的应变硅层的位置，故使NMOS晶体管区域的被施加张应力的应变硅层与PMOS晶体管区域的被施加压应力的应变硅层之间的相对位置满足要求，从而提高了含应变硅层的半导体器件的成品率及产品性能。

主权项

含应变硅层的半导体器件的形成方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底，在所述半导体衬底上形成多个隔离结构，所述多个隔离结构在所述半导体衬底上定义出第一及第二晶体管区域，第一及第二晶体管区域中一个为PMOS晶体管区域，另一个为NMOS晶体管区域，相邻两个所述隔离结构之间设置有暴露出所述半导体衬底的空隙；在所述空隙内形成半导体合金层，进行平坦化处理以去除多余的所述半导体合金层；在所述隔离结构及半导体合金层上形成图形化硬掩模层，所述图形化硬掩模层内形成有至少暴露出第一晶体管区域的部分半导体合金层的第一开口，及暴露出第二晶体管区域的部分半导体合金层的第二开口；去除所述第一开口下方的部分半导体合金层以形成第三开口，去除第二开口下方的半导体合金层以形成暴露出半导体衬底的第四开口；在所述第三开口内形成第一应变硅层、所述第四开口内形成第二应变硅层及去除所述图形化硬掩模层；在所述第一应变硅层上形成第一晶体管，在所述第二应变硅层上形成第二晶体管，所述第一及第二晶体管中一个为PMOS晶体管，另一个为NMOS晶体管。