发明名称 | 半导体溅镀设备的反应室结构;STRUCTURE OF REACTION CHAMBER OF SEMICONDUCTOR SPUTTERING EQUIPMENT | ||
摘要 | 一种半导体溅镀设备的反应室结构,该反应室内包括有一腔体、一升降平台、数靶材固定件、一承载环及一覆盖保护环,其中于该靶材固定件之接触面、该承载环之环凸面以及该覆盖保护环之附着面,在设备溅镀作业运作中,会使反应物不断沉积于前述表面,本发明系将该接触面、环凸面及附着面设计为粗糙面,该粗糙面具有凸凹不平的花纹,藉此让溅镀过程中该接触面、环凸面及附着面所能承受之沉积物厚度增加,延长构件清洗的周期及使用寿命,提升设备的稼动率,降低生产的成本。 | ||
申请公布号 | TW201428125 | 申请公布日期 | 2014.07.16 |
申请号 | TW102101159 | 申请日期 | 2013.01.11 |
申请人 | 世禾科技股份有限公司 | 发明人 | 何文钦;周宗治;陈学哲 |
分类号 | C23C14/56(2006.01) | 主分类号 | C23C14/56(2006.01) |
代理机构 | 代理人 | 洪尧顺 | |
主权项 | |||
地址 | 新竹县湖口乡大同路17之2号 |