半导体基板的蚀刻液、使用其的蚀刻方法及半导体元件的制造方法;ETCHING LIQUID OF SEMICONDUCTOR SUBSTRATE, ETCHING METHOD USING THE SAME AND METHOD FOR FABRICATING SEMICONDUCTOR DEVICE

摘要

本发明是一种蚀刻液，其对具有包含氮化钛(TiN)的第1层、与包含过渡金属的第2层的基板进行处理，而选择性地除去第1层，且含有含氟化合物、氧化剂以及有机矽化合物。