蚀刻液、半导体基板的蚀刻方法及半导体元件的制造方法;ETCHANT, ETCHING METHOD OF SEMICONDUCTOR SUBSTRATE AND METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE

摘要

本发明的蚀刻方法是于对具有含有氮化钛(TiN)的第1层及含有过渡金属的第2层的基板进行处理时，选定第1层中的表面含氧率为0.1莫耳%~10莫耳%的基板，于基板上应用含有有机鎓化合物及氧化剂的蚀刻液而去除第1层。