| 主权项 |
一种低功耗单栅非挥发性存储器，包括多个存储单元和多个电平预置单元电路，其特征是，每个存储单元包括：电荷注入晶体管(N1)、电荷泄放晶体管(P1)、隧穿选择晶体管(P2)以及输出控制晶体管(N2)；每个电平预置单元包括：三个反相器(INV1)(INV2)(INV3)和电平预置晶体管(P3)；隧穿选择晶体管(P2)的源极、漏极和衬底连接在一起，构成隧穿选择端子(Se1)；电荷泄放晶体管(P1)的源极、漏极和衬底连接在一起，构成电荷泄放端子(Ctrl)；电荷注入晶体管(N1)的源极接地，漏极和输出控制晶体管(N2)的源极相连接；输出控制晶体管(N2)的衬底与电荷注入晶体管(N1)的衬底相连接并接地，栅极作为字线(WL0)，漏极和电平预置晶体管(P3)的漏极、反相器(INVl)的输出端以及反相器(INV2)的输入端相连接；电平预置晶体管(P3)的源极与衬底相连并与工作电压(VDD)连接，栅极作为电平预置端(Pre)：反相器(INV1)和(INV3)的输入端与反相器(INV2)的输出端连接，反相器(INV3)的输出端输出数据；所述的电子注入晶体管(N1)、电子泄放晶体管(P1)、隧穿选择晶体管(P2)的栅极并接，共享浮栅(FG)。 |
