发明名称 |
横向p-i-n结构Ge光电探测器的制备方法 |
摘要 |
横向p-i-n结构Ge光电探测器的制备方法,涉及一种锗光电探测器。1)在衬底上外延生长单晶锗层,再在锗层上生长SiO<sub>2</sub>覆盖层;2)利用微电子光刻技术在外延单晶锗层上刻蚀出细长条的有源区台面;3)利用单晶锗层上面的SiO<sub>2</sub>覆盖层做掩蔽,通过侧向大偏角离子注入在台面两侧形成掺杂p区与掺杂n区;4)沉积金属Ni层后热退火,利用NiGe、NiSi形成时的自对准工艺在台面两侧及刻蚀区底部形成NiGe和NiSi接触电极;5)引出器件电极,保护钝化层,即得横向p-i-n结构Ge光电探测器。工艺简单,可操作性强,极具应用价值。 |
申请公布号 |
CN103928562A |
申请公布日期 |
2014.07.16 |
申请号 |
CN201410183675.4 |
申请日期 |
2014.05.04 |
申请人 |
厦门大学 |
发明人 |
黄巍;魏江镔;陈松岩;李成 |
分类号 |
H01L31/105(2006.01)I;H01L31/18(2006.01)I |
主分类号 |
H01L31/105(2006.01)I |
代理机构 |
厦门南强之路专利事务所(普通合伙) 35200 |
代理人 |
马应森 |
主权项 |
横向p‑i‑n结构Ge光电探测器的制备方法,其特征在于包括以下步骤:1)在衬底上外延生长单晶锗层,再在锗层上生长SiO<sub>2</sub>覆盖层;2)利用微电子光刻技术在外延单晶锗层上刻蚀出细长条的有源区台面;3)利用单晶锗层上面的SiO<sub>2</sub>覆盖层做掩蔽,通过侧向大偏角离子注入在台面两侧形成掺杂p区与掺杂n区;4)沉积金属Ni层后热退火,利用NiGe、NiSi形成时的自对准工艺在台面两侧及刻蚀区底部形成NiGe和NiSi接触电极;5)引出器件电极,保护钝化层,即得横向p‑i‑n结构Ge光电探测器。 |
地址 |
361005 福建省厦门市思明南路422号 |