一种抗单粒子效应的带隙基准

摘要

一种抗单粒子效应的带隙基准，有栅极相连的第一PMOS管M1、第二PMOS管M2和第三PMOS管M3，基极与集电极都接地的第一三极管Q1、第二三极管Q2和第三三极管Q3，以及运算放大器F，M1管、M2管和M3管的源极分别连接电源VDD，M1管的漏极和第一三极管Q1的发射极均连接运算放大器F的反相输入端，M2管的漏极连接运算放大器F的同相输入端，第二三极管Q2的发射极通过电阻R1连接运算放大器F的同相输入端，M3管的漏极构成带隙基准输出端V_out，第三三极管Q3的发射极通过电阻R2连接M3管的漏极，运算放大器F的同相输入端Y连接辅助电路。本实用新型减小了单粒子效应的影响，可应用于太空等辐射条件下。

主权项

一种抗单粒子效应的带隙基准，包括：栅极相互连接的第一PMOS管M1、第二PMOS管M2和第三PMOS管M3，基极与集电极都接地的第一三极管Q1、第二三极管Q2和第三三极管Q3，以及运算放大器F，其中，所述第一PMOS管M1、第二PMOS管M2和第三PMOS管M3的源极分别连接电源VDD，所述第一PMOS管M1的漏极和第一三极管Q1的发射极均连接运算放大器F的反相输入端（X），所述第二PMOS管M2的漏极连接运算放大器F的同相输入端（Y），所述第二三极管Q2的发射极通过电阻R1连接运算放大器F的同相输入端，所述第三PMOS管M3的漏极构成带隙基准输出端V_out，所述第三三极管Q3的发射极通过电阻R2连接第三PMOS管M3的漏极，其特征在于，所述的运算放大器F的同相输入端Y连接用来实现受到单粒子效应时的分流电流的辅助电路（B）。