发明名称 |
一种用于抵制二极管内反向恢复电荷的系统 |
摘要 |
本发明公开了一种抑制二极管内反向恢复电荷的系统,该系统为正向偏置连接于二极管(DUT)两端的电流注入电路,该电流注入电路包括用阶跃恢复二极管(SRD)构成的脉冲nS级脉冲信号发生器,及紧接其后以隧穿二极管(BG2)及反向二极管(BG1)构成的用于加速脉冲的上升沿时间和下降沿时间的脉冲边沿加速电路。本发明的优点是:能改善二极管(DUT)的反向恢复特性,降低反向恢复电荷和反向恢复时间,同时能降低二极管的开关损耗和传导损耗,抑制电磁干扰和浪涌发生,提高效率。 |
申请公布号 |
CN103929156A |
申请公布日期 |
2014.07.16 |
申请号 |
CN201410128200.5 |
申请日期 |
2014.04.01 |
申请人 |
温州大学 |
发明人 |
韦文生;沈琦;夏鹏 |
分类号 |
H03K5/06(2006.01)I;H03K5/12(2006.01)I |
主分类号 |
H03K5/06(2006.01)I |
代理机构 |
温州瓯越专利代理有限公司 33211 |
代理人 |
陈加利 |
主权项 |
一种用于抵制二极管内反向恢复电荷的系统,其特征在于:该装置为正向偏置于被测功率二极管(DUT)两端的电流注入电路,注入电流为1mA—10A,所述电流注入电路包括nS级脉冲发生器和串联于其后的用于加速脉冲的上升沿时间和下降沿时间的脉冲边沿加速电路。 |
地址 |
325000 浙江省温州市瓯海经济开发区东方路38号(温州市国家大学科技园孵化器) |