发明名称 一种6英寸铌酸锂晶片或钽酸锂晶片的生产工艺
摘要 本发明属于酸锂晶片用具技术领域,尤其涉及一种6英寸铌酸锂晶片或钽酸锂晶片的生产工艺。本发明公开了一种6英寸铌酸锂晶片或钽酸锂晶片的生产工艺,其步骤如下:A:切割成厚度0.6-1mm的晶片;B:把晶片装入还原炉内还原;C:研磨后用超声波清洗干净;D:粘片工艺;E:研磨工艺;F:抛光工艺;G:清洗工艺:然后装盒。本发明采用2次腐蚀去除晶片内部应力,晶片黑化去静电荷,机械化学法抛光达到超光滑平面,使得各项指标达到TTV<5um,BOW<40um,warp<40um PLTV>95%适合大批量生产。
申请公布号 CN103921205A 申请公布日期 2014.07.16
申请号 CN201410135121.7 申请日期 2014.04.04
申请人 德清晶辉光电科技有限公司 发明人 李春忠
分类号 B24B37/08(2012.01)I;B24B37/10(2012.01)I;B24B29/02(2006.01)I;H01L21/304(2006.01)I 主分类号 B24B37/08(2012.01)I
代理机构 杭州丰禾专利事务所有限公司 33214 代理人 王鹏举
主权项 一种6英寸铌酸锂晶片或钽酸锂晶片的生产工艺,其特征在于,其步骤如下:A:6英寸铌酸锂或钽酸锂晶体用线剧切割成厚度0.6‑1mm的晶片,用自动倒角机倒成C型边,放入腐蚀液中腐蚀8‑10小时;B:把晶片装入还原炉内,晶片和晶片采用还原纸通氮气加热到500‑‑‑600°然后降温到室温,取出还原后的黑色或者茶色铌酸锂或钽酸锂晶片;C:用双面研磨机加1000号绿碳硅砂研磨,设备转速15转/min,反向压力100MPa,根据光栅尺的读数研磨到厚度0.53‑56mm取出晶片,用超声波清洗干净,再放入腐蚀液中腐蚀12‑15小时;D:粘片工艺:把双面研磨好的晶片用自动粘片机粘片,采用液体石蜡,加热到120‑150度,粘片片压力为0.4Mpa,冷却时间为100‑130秒;E:研磨工艺:采用单面研磨机研磨,研磨压力:150g/cm<sup>2</sup>;砂浆组成:绿碳硅砂:纯水:悬浮剂=70:20:4,流量15‑‑20L/min,设备转速25转/min,根据光栅尺的读数研磨到厚度0.50‑0.52mm取出晶片,用超声波清洗干净;F:抛光工艺:先把抛光布用修正盘修整好,然后把用超声波清洗过的晶片放在抛光盘上进行抛光,抛光压力:200‑‑300g/cm<sup>2</sup>  转速:35‑‑40rpm,时间:40‑‑45min,然后转入CMP抛光;G:清洗工艺:把抛好的晶片放在自动取片机上加热到100‑110度后分别取下晶片,然后放入去蜡水中把石蜡去除,然后放入刷洗机中清洗干净,最后转入风刀中烘干,然后装盒。
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