FinFET器件及其制造方法

摘要

本发明提供了FinFET器件及其制造方法。该半导体器件包括衬底，该衬底具有隔离区域、栅极区域、被栅极区域分开的源极和漏极区域、位于栅极区域中的第一鳍结构。第一鳍结构包括作为该第一鳍结构的下部的第一半导体材料层、作为该第一鳍结构的中部的外面部分的半导体氧化物层、作为该第一鳍结构的中部的中心部分的第一半导体材料层和作为该第一鳍结构的上部的第二半导体材料层。半导体器件还包括位于两个邻近的隔离区域之间的源极/漏极区域中的衬底上方的源极/漏极部件以及位于栅极区域中的高k（HK）/金属栅极（MG）堆叠件，该HK/MG堆叠件覆盖在第一鳍结构的一部分的上方。

主权项

一种半导体器件，包括：衬底，具有栅极区域及源极和漏极（S/D）区域；第一鳍结构，位于所述栅极区域中，所述第一鳍结构包括：作为所述第一鳍结构的下部的第一半导体材料层；半导体氧化物层，作为所述第一鳍结构的中部的外面部分；作为所述第一鳍结构的中部的中心部分的第一半导体材料层；和第二半导体材料层，作为所述第一鳍结构的上部；高k（HK）/金属栅极（MG）堆叠件，位于所述栅极区域中，所述HK/MG堆叠件覆盖在部分所述第一鳍结构的上方；以及S/D部件，位于所述S/D区域中。