表面质量提高的固相烧结碳化硅陶瓷的制备方法

摘要

本发明涉及表面质量提高的固相烧结碳化硅陶瓷的制备方法，该方法包括以下步骤：测量SiC粉体表面的氧含量，并根据3C+SiO₂＝SiC+2CO↑计算出所需的碳含量；加入烧结助剂B和C混合浆料，配比如下：烧结助剂与SiC粉体的混合物∶磨球∶分散介质＝1∶3∶1；烘干浆料、过筛，成型后除去粘结剂；在流动惰性气体保护下，以烧结温度为2050-2200℃进行烧结，保温时间1-4小时，生成致密的SiC陶瓷；对所得的致密的SiC陶瓷进行机械加工；对经机械加工的SiC陶瓷进行超声清洗以去除陶瓷表面上的残留粒子和沾污物。

主权项

一种表面质量提高的固相烧结碳化硅陶瓷的制备方法，该方法包括以下步骤：测量SiC粉体表面的氧含量，并根据3C+SiO₂＝SiC+2CO↑计算出所需的碳含量；加入烧结助剂B和C混合浆料，配比如下：烧结助剂与SiC粉体的混合物∶磨球∶分散介质＝1∶3∶1；烘干浆料、过筛，成型后除去粘结剂；在流动惰性气体保护下，以烧结温度为2050‑2200℃进行烧结，保温时间1‑4小时，生成致密的SiC陶瓷；对所得的致密的SiC陶瓷进行机械加工；对经机械加工的SiC陶瓷进行超声清洗以去除陶瓷表面上的残留粒子和沾污物。