提高后层曝光工艺宽容度的方法

摘要

本发明提供了一种提高后层曝光工艺宽容度的方法，通过预先在测试晶片上进行前层光刻和后层的光阻胶层涂布，并在此基础上进行高低点探测，发现影响后层、以及后层的下一层曝光的高低点位置，然后在后层曝光的光罩上删除或者增加冗余图案进行该处高低点的弥补，或者在前层和后层曝光的光罩上都进行删除或者增加冗余图案进行该处高低点的弥补。采用本发明的方法，大大提高了后层曝光的工艺宽容度。

主权项

一种提高后层曝光工艺宽容度的方法，该方法包括：在测试晶片上形成前层图案；涂布后层光阻胶层，所述光阻胶层覆盖前层图案表面；将所述涂布有后层光阻胶层的测试晶片进行高低点探测；其中，高点为图案密集的地方，低点为图案稀疏的地方；当测试晶片上不存在高低点时，在产品晶片上进行前层和后层的曝光；当测试晶片上存在高低点时，判断所述高低点是否在后层曝光的焦深范围内；如果是，则在对后层曝光的光罩上的相应高低点位置删除或者增加冗余图案；在产品晶片上直接进行前层的曝光之后，再在产品晶片上利用后层的所述删除或者增加了冗余图案的光罩进行后层的曝光；如果否，则在对前层曝光的光罩上的相应高低点位置删除或者增加冗余图案，且在对后层曝光的光罩上的相应高低点位置删除或者增加冗余图案；在产品晶片上利用前层的所述删除或者增加了冗余图案的光罩进行前层的曝光之后，再在产品晶片上利用后层的所述删除或者增加了冗余图案的光罩进行后层的曝光。