| 发明名称 | 一种OLED器件阳极结构 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种OLED器件的阳极结构，尤指一种新型的具有高反射率的OLED器件阳极结构，所述阳极结构包括第一氧化铟锡层、第二氧化铟锡层以及夹设于所述第一氧化铟锡层、第二氧化铟锡层之间的金属反射层；所述金属反射层与所述第二氧化铟锡层之间设置有一光栅结构层。采用在金属反射层上加设光栅结构，因光栅结构具有高衍射效率，结合金属反射层的反射效率，可以使得本发明的阳极结构的反射率达到99%，大大的提高了OLED器件的发光效率。 | ||
| 申请公布号 | CN103928635A | 申请公布日期 | 2014.07.16 |
| 申请号 | CN201410155768.6 | 申请日期 | 2014.04.18 |
| 申请人 | 上海和辉光电有限公司 | 发明人 | 祝文秀 |
| 分类号 | H01L51/52(2006.01)I;H01L51/54(2006.01)I;H01L51/56(2006.01)I | 主分类号 | H01L51/52(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海唯源专利代理有限公司 31229 | 代理人 | 曾耀先 |
| 主权项 | 一种OLED器件阳极结构，所述阳极结构包括第一氧化铟锡层、第二氧化铟锡层以及夹设于所述第一氧化铟锡层、第二氧化铟锡层之间的金属反射层；其特征在于：所述金属反射层与所述第二氧化铟锡层之间设置有一光栅结构层。 | ||
| 地址 | 201508 上海市金山区金山工业区大道100号1幢二楼208室 | ||