金属互连结构的制作方法

摘要

一种金属互连结构的制作方法，不同于现有的双构图方案，本发明提出首先以传统的单大马士革工艺在介电牺牲层内形成一组沟槽，并填入金属以形成金属互连结构的第一套金属图案，然后去除该介电牺牲层，以第一套金属图案这层金属为核心在其周围及之间形成厚度可精确控制的覆盖层，通过回蚀该覆盖层形成侧墙，填充该侧墙间的间隙形成第二套金属图案，上述回蚀过程中对侧墙间的间隙深度进行了加深，该加深处理能使后续填入其中形成的第二套金属图案与之前形成的第一套金属图案深度一致，如此完成金属互连结构的双构图工艺。由于第二套金属图案插入在第一套金属图案之间，实现了将图形密度加倍的目的。上述制作方法工艺简单，金属图案形状易于控制。

主权项

一种金属互连结构的制作方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底上自下而上依次具有前层介电层、刻蚀终止层、介电牺牲层；在所述介电牺牲层内刻蚀形成多个沟槽；在所述沟槽内填入金属并平坦化去除沟槽外的多余金属以形成金属互连结构的第一套金属图案；去除介电牺牲层，保留所述金属互连结构的第一套金属图案；在所述金属互连结构的第一套金属图案周围及之间形成覆盖层；回蚀所述覆盖层形成侧墙，在所述侧墙的间隙内填入金属并平坦化去除所述间隙外的多余金属以形成金属互连结构的第二套金属图案，所述回蚀对侧墙间的间隙处理可使第二套金属图案与之前形成的第一套金属图案深度一致。