发明名称 | 一种镧锶铜锰硫氧稀磁半导体材料及其制备方法 | ||
摘要 | 本发明公开了一种镧锶铜锰硫氧稀磁半导体材料,化学式组成为:La<sub>1-x</sub>Sr<sub>x</sub>Cu<sub>1-y</sub>Mn<sub>y</sub>SO。本发明还公开了该镧锶铜锰硫氧稀磁半导体材料的制备方法,将原料混合,在氩气保护下充分研磨,然后在一定的压强下冲压;将得到的压片密封在真空容器内,放在管式炉中升温,再恒温煅烧,即得到镧锶铜锰硫氧稀磁半导体材料。本发明采用Mn<sup>2+</sup>替代Cu<sup>+</sup>的方法引入磁矩,然后用Sr部分替代La引入空穴型载流子,通过以上掺杂可以很好的控制该半导体的导电性和磁性,获得了居里温度更高的ZrCuSiAs型结构的稀磁半导体,该稀磁半导体材料具有很高铁磁转变温度,居里温度T<sub>C</sub>提高到199K,且不含有As等剧毒元素。 | ||
申请公布号 | CN102956814B | 申请公布日期 | 2014.07.16 |
申请号 | CN201210475152.8 | 申请日期 | 2012.11.20 |
申请人 | 浙江大学 | 发明人 | 许祝安;杨小军;曹光旱 |
分类号 | H01L43/10(2006.01)I | 主分类号 | H01L43/10(2006.01)I |
代理机构 | 杭州天勤知识产权代理有限公司 33224 | 代理人 | 胡红娟 |
主权项 | 一种镧锶铜锰硫氧稀磁半导体材料,其特征在于,化学式组成为:La<sub>1‑x</sub>Sr<sub>x</sub>Cu<sub>1‑y</sub>Mn<sub>y</sub>SO,其中x=0~0.1,y=0.05~0.1。 | ||
地址 | 310027 浙江省杭州市西湖区浙大路38号 |