非挥发性记忆体及其操作方法;NONVOLATILE MEMORY AND MANIPULATING METHOD THEREOF

摘要

一种非挥发性记忆体,具有复数个记忆胞,两相邻之记忆胞对应至一位元且包括基板、设于基板的表面区域之第一掺杂区及另一第一掺杂区、设于第一掺杂区及另一第一掺杂区之间之第二掺杂区、电荷捕捉层、控制闸极、第一位元线、源极线及第二位元线。第一及第二通道,分别形成于第一掺杂区及第二掺杂区间与第二掺杂区及另一第一掺杂区间。电荷捕捉层设于第一及第二通道上。控制闸极设于电荷捕捉层上。第一位元线耦接至第一掺杂区。源极线耦接至第二掺杂区。第二位元线耦接至另一第一掺杂区,第一位元线及第二位元线不相同。