| 发明名称 |
具有资料留存分隔区之快闪记忆体;FLASH MEMORY WITH DATA RETENTION PARTITION |
| 摘要 |
本发明系关于一种在相同记忆体阵列中包含一第一分隔区及之一第二分隔区之NAND(反及)快闪记忆体晶片,该第一分隔区具有含较小电荷储存元件之较小记忆体胞,且该第二分隔区具有有较大电荷储存元件之较大记忆体胞。根据资料之特性或所预期特性来选择该资料,用于储存在该第一分隔区或该第二分隔区中。 |
| 申请公布号 |
TW201428746 |
申请公布日期 |
2014.07.16 |
| 申请号 |
TW102138284 |
申请日期 |
2013.10.23 |
| 申请人 |
桑迪士克科技公司 |
发明人 |
杨 年 奈尔斯;艾维拉 克里斯 恩格 奕;斯普劳斯 史蒂芬Ｔ |
| 分类号 |
G11C16/04(2006.01);G11C16/34(2006.01);G06F12/02(2006.01) |
主分类号 |
G11C16/04(2006.01) |
| 代理机构 |
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代理人 |
黄章典;楼颖智 |
| 主权项 |
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| 地址 |
SANDISK TECHNOLOGIES INC. 美国 |
