半导体装置及半导体装置的制造方法

摘要

本发明的目的之一是提供一种抑制不良现象且实现微型化的半导体装置以及一种维持良好的特性且实现微型化的半导体装置。一种半导体装置，包括：绝缘层；埋入在绝缘层中的源极电极和汲极电极；接触于绝缘层表面的一部分、源极电极表面的一部分和汲极电极表面的一部分的氧化物半导体层；覆盖氧化物半导体层的闸极绝缘层；以及闸极绝缘层上的闸极电极，其中绝缘层表面的一部分的接触于氧化物半导体层的区域的均方根(RMS)粗糙度是1nm以下，并且绝缘层表面的一部分与源极电极表面的高低差或绝缘层表面的一部分与汲极电极表面的高低差小于5nm。

主权项

一种半导体装置，包括：基板上的源极电极和汲极电极；该基板上的第一绝缘层，其中该第一绝缘层接触于该源极电极的侧表面和该汲极电极的侧表面；该源极电极、该汲极电极和该第一绝缘层上的氧化物半导体层，其中该氧化物半导体层接触于该第一绝缘层的上表面、该源极电极的上表面和该汲极电极的上表面；该氧化物半导体层上的第二绝缘层；以及该第二绝缘层上的闸极电极，其中，该第一绝缘层的上表面、该源极电极的上表面和该汲极电极的上表面在同一平面上。