发明名称 热处理方法及热处理装置
摘要 热处理方法,系包含:将成膜了low-k膜及配线层之晶圆W,收容于热处理炉41内之工程、和于热处理炉41内,将气相的无水醋酸藉由质流控制器44d而一面调整流量同时供给之工程、和将在供给了气相的无水醋酸之热处理炉41内的晶圆W,藉由设置于热处理炉41的加热器41b而加热的工程。
申请公布号 TWI445089 申请公布日期 2014.07.11
申请号 TW096127774 申请日期 2007.07.30
申请人 东京威力科创股份有限公司 日本 发明人 三好秀典;成岛正树
分类号 H01L21/324;H01L21/00 主分类号 H01L21/324
代理机构 代理人 林志刚 台北市中山区南京东路2段125号7楼
主权项 一种热处理方法,其特征为包含:将成膜了低介电常数层间绝缘膜(low-k膜)及/或金属膜之基板收容至处理容器内、和于前述处理容器内,将含有无水羧酸、酯、有机酸铵盐、有机酸胺盐、有机酸胺、有机酸醯腁、有机酸的金属错合物及有机酸的金属盐之中的至少1种之具有还原性的气相有机化合物,一面进行流量调整,同时进行供给、和加热被供给了前述气相有机化合物的前述处理容器内之基板,前述具有还原性的气相有机化合物,系为并不会进行多体化之有机化合物。
地址 日本