发明名称 感测元件封装结构及其制作方法
摘要 一种感测元件封装结构包括中间介电层、感测元件、前侧介电层、前侧图案化导电层及至少一前侧导电孔道。中间介电层具有前侧面、相对前侧面之后侧面和中间开口。感测元件配置于中间开口中。感测元件具有正面、相对正面之背面、位在正面之感测区、位在正面且环绕感测区之阻挡图案以及位在正面且在阻挡图案外围之至少一电极。前侧介电层配置于中间介电层之前侧面上及感测元件之正面上。前侧介电层具有暴露出感测区及阻挡图案之前侧开口。前侧图案化导电层配置于前侧介电层上。前侧导电孔道贯穿前侧介电层且连接前侧图案化导电层及电极。
申请公布号 TWI445469 申请公布日期 2014.07.11
申请号 TW101118729 申请日期 2012.05.25
申请人 欣兴电子股份有限公司 桃园县桃园市龟山工业区兴邦路38号 发明人 陈宗源;郑伟鸣
分类号 H05K1/18;H05K3/32;H01L31/14 主分类号 H05K1/18
代理机构 代理人 詹铭文 台北市中正区罗斯福路2段100号7楼之1;叶璟宗 台北市中正区罗斯福路2段100号7楼之1
主权项 一种感测元件封装结构,包括:一中间介电层,具有一前侧面、相对该前侧面之一后侧面和连接该前侧面与该后侧面之一中间开口;一感测元件,配置于该中间开口中,该感测元件具有一正面、相对该正面之一背面、位在该正面之一感测区、位在该正面且环绕该感测区之一阻挡图案以及位在该正面且在该阻挡图案外围之至少一电极;一前侧介电层,配置于该中间介电层之该前侧面上及该感测元件之该正面上,该前侧介电层具有暴露出该感测区及该阻挡图案之一前侧开口;一前侧图案化导电层,配置于该前侧介电层上;以及至少一前侧导电孔道,贯穿该前侧介电层且连接该前侧图案化导电层及该电极。
地址 桃园县桃园市龟山工业区兴邦路38号