发明名称 半导体发光装置及其制造方法
摘要 根据一实施例,半导体发光装置包括发光单元、第一和第二导电构件、绝缘层、密封构件、和光学层。该发光单元包括半导体堆叠体和第一及第二电极。该半导体堆叠体包括第一及第二半导体层和发光层,并且具有在第二半导体层侧上的主表面。该第一及第二电极系分别连接至在该主表面侧上的该第一及第二半导体层。该第一导电构件系连接至该第一电极并具有覆盖该第二半导体之一部分的第一柱状部。该绝缘层系设置在该第一柱状部和该第二半导体之该部分之间。该密封构件覆盖该导电构件的侧表面。该光学层系设置在另一主表面上。
申请公布号 TWI445208 申请公布日期 2014.07.11
申请号 TW100119002 申请日期 2011.05.31
申请人 东芝股份有限公司 日本 发明人 西内秀夫;樋口和人;小幡进;中山俊弥
分类号 H01L33/36 主分类号 H01L33/36
代理机构 代理人 林志刚 台北市中山区南京东路2段125号7楼
主权项 一种半导体发光装置,包括:发光单元,其包括半导体堆叠体,其包括第一导电型之第一半导体层、第二导电型之第二半导体层、和设置在该第一半导体层和该第二半导体层之间的发光层,该半导体堆叠体具有在第一半导体层侧上的第一主表面和在第二半导体层侧上的第二主表面,第一电极,在第二主表面侧上电连接至该第一半导体层,以及第二电极,在该第二主表面侧上电连接至该第二半导体层;第一导电构件,系电连接至该第一电极,该第一导电构件包括设置在该第二主表面上的第一柱状部,以在该第二主表面侧上覆盖该第二半导体层之一部分,该第一柱状部系与该第二半导体层分隔开;绝缘层,其设置在该第一柱状部和在该第二主表面侧上之该第二半导体层之该部分之间;第二导电构件,系电连接至该第二电极,该第二导电构件包括设置在该第二主表面上的第二柱状部;密封构件,其覆盖该第一导电构件之侧表面和该第二导电构件之侧表面;以及光学层,其设置在该半导体堆叠体之该第一主表面,该光学层包括波长转换单元,其构成以吸收发射自该发光层之发射光,并发出具有和该发射光之波长不同波长的光,该第一导电构件之该半导体堆叠体侧之末端表面的表面积系小于该第一导电构件相对于该半导体堆叠体之一侧上的末端表面的表面积,该第二导电构件之该半导体堆叠体侧之末端表面的表面积系大于该第二导电构件相对于该半导体堆叠体之一侧上的末端表面的表面积,由与该第一主表面垂直之方向观看时,该第一导电构件与该第二导电构件并未重叠。
地址 日本