| 发明名称 |
处理系统 |
| 摘要 |
系对表面形成着具有凹部(6)之绝缘层(4)之被处理体(W)形成薄膜之成膜方法。依序执行于含有凹部内之表面之被处理体之表面形成Ti含有阻挡层(12)之阻挡层形成工程、于阻挡层上以CVD形成含有Ru之晶种层(16)的晶种层形成工程、以及于晶种层上以溅镀形成Cu含有辅助晶种层(164)之辅助晶种层形成工程。藉此，涵盖被处理体全面，可对线宽或孔径较小之凹部或高长宽比之凹部充份进行填埋。 |
| 申请公布号 |
TWI445130 |
申请公布日期 |
2014.07.11 |
| 申请号 |
TW097124270 |
申请日期 |
2008.06.27 |
| 申请人 |
东京威力科创股份有限公司 日本 |
发明人 |
池田太郎;若林哲;成嶋健索;波多野达夫;水泽宁;横山敦;佐久间隆 |
| 分类号 |
H01L21/768;H01L21/3205 |
主分类号 |
H01L21/768 |
| 代理机构 |
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代理人 |
林志刚 台北市中山区南京东路2段125号7楼 |
| 主权项 |
一种处理系统，系用以在形成具有凹部的绝缘层的被处理体的表面形成薄膜之处理系统，其特征系具备：在前述被处理体的表面形成阻挡膜之处理室；在前述被处理体的表面形成含Ru的薄膜之处理室；在前述被处理体的表面形成含Cu的薄膜之处理室；被连接至前述各处理室中的至少1个，形成可抽真空之至少1个的共通搬送室；被设于前述共通搬送室内，在前述各处理室间搬送前述被处理体之搬送机构；及控制部，其系控制前述处理系统，而使能够实行包含：在前述凹部内形成阻挡层之阻挡层形成工程，及在前述阻挡层上藉由CVD来形成含Ru的晶种层之晶种层形成工程，及在前述晶种层上藉由溅镀来形成含Cu的补助晶种层之补助晶种层形成工程之成膜方法。 |
| 地址 |
日本 |
