半导体元件

摘要

本发明系关于一种半导体元件。该半导体元件包括一基板及一晶片。该晶片系电性连接至该基板。该晶片包括一晶片本体、至少一晶片焊垫、一第一保护层、一球下金属层及至少一金属柱结构。该晶片焊垫系位于该晶片本体之一主动面。该第一保护层系位于该主动面上，且显露部分该晶片焊垫。该球下金属层系位于该晶片焊垫上。该金属柱结构与该球下金属层接触，而形成一第一接触面，其具有一第一直径。该金属柱结构与该基板之一基板焊垫电性连接，而形成一第二接触面，其具有一第二直径。该第一直径及该第二直径之比值系介于0.7至1.0。藉此，该第一接触面与该第二接触面之结合力相当，可避免该金属柱结构受剪应力而破裂，进而提升结构强度并通过信赖度测试。

主权项

一种半导体元件，包括：一基板，具有一第一表面及至少一基板焊垫，该基板焊垫系位于该第一表面；及一晶片，位于该基板之第一表面上，且电性连接至该基板，包括：一晶片本体，具有一主动面；至少一晶片焊垫，位于该主动面；一第一保护层，位于该主动面上，且具有至少一第一开口以显露部分该晶片焊垫；一球下金属层(Under Ball Metal,UBM)，位于该晶片焊垫上；及至少一金属柱结构，位于该球下金属层上，且接触该基板之基板焊垫，该金属柱结构与该球下金属层接触，而形成一第一接触面，该第一接触面具有一第一直径，该金属柱结构与该基板之基板焊垫电性连接，而形成一第二接触面，该第二接触面具有一第二直径，该第一直径及该第二直径之比值系介于0.7至1.0。