Ｃｕ配线膜之形成方法

摘要

在半导体装置制造制程中，为了提供一种使用有将其与Cu配线膜间之密着性作了提升之密着层(基底层)的Cu配线膜之形成方法，而在被形成有孔等之基板上，形成阻障膜，而后，于其上形成PVD-Co膜、CVD-Co膜或是ALD-Co膜，并将于表面上被形成有此Co膜之孔等内，藉由CVD-Cu膜或是PVD-Cu膜来作填埋，而后，以350℃以下之温度来进行加热处理，并形成Cu配线膜。

主权项

一种Cu配线膜之形成方法，其特征为：系在被形成有孔或是沟渠之基板上，形成由Ti、TiN、Ta、TaN、W、WN以及矽化物(silicide)所选择之阻障膜，而后，于其上作为密着层而形成PVD-Co金属膜，并将于表面上被形成有此Co膜之孔或是沟渠内，藉由CVD-Cu膜或是PVD-Cu膜来作填埋，之后，藉由250~350℃之温度，来进行加热处理，藉由此，而形成Cu配线膜。