| 发明名称 |
单面蚀刻方法及单面蚀刻装置 |
| 摘要 |
本发明提供一种单面蚀刻方法及装置。其中单面蚀刻方法包括提供晶圆，此晶圆具有上表面及下表面；形成液态保护层于晶圆之上表面；使晶圆藉由输送装置通过液槽，液槽容置有蚀刻液；以及使晶圆与蚀刻液接触进行蚀刻。藉由所形成于晶圆上表面的液态保护层，保护晶圆上表面在蚀刻制程中，不会受蚀刻液影响或制程中蚀刻液的喷溅，进一步避免晶圆上表面产生蚀刻痕迹，同时简化生产制程，提高产能效率。 |
| 申请公布号 |
TWI445087 |
申请公布日期 |
2014.07.11 |
| 申请号 |
TW100113979 |
申请日期 |
2011.04.22 |
| 申请人 |
均豪精密工业股份有限公司 新竹市科学园区创新一路5之1号 |
发明人 |
张书省;蔡嘉雄;刘仕伟;茹振宗 |
| 分类号 |
H01L21/321;H01L21/3213 |
主分类号 |
H01L21/321 |
| 代理机构 |
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代理人 |
周威君 新竹县竹东镇中兴路4段195号53馆219室 |
| 主权项 |
一种单面蚀刻方法，包括：提供一晶圆(21)，该晶圆(21)具有一上表面(211)及一下表面(212)；形成一液态保护层(22)于该晶圆(21)之该上表面(211)；使该晶圆(21)藉由一输送装置(23)通过一液槽(24)，该液槽(24)容置有蚀刻液(25)；以及使该晶圆(21)与该蚀刻液(25)接触进行蚀刻；其中，该液态保护层(22)对该晶圆(21)之表面附着力大于该蚀刻液(25)对该晶圆(21)之表面附着力。 |
| 地址 |
新竹市科学园区创新一路5之1号 |
