氮化镓基板的制作方法

摘要

一种氮化镓基板的制作方法。首先提供一个氮化镓单晶基板。然后在氮化镓单晶基板中形成一层离子植入层从而将氮化镓单晶基板分成两个部分。利用接合金属层将氮化镓单晶基板与辅助基板连接在一起，然后加热使离子植入层断裂，使氮化镓单晶基板与辅助基板分离。最后，氮化镓单晶基板将在辅助基板的表面留下一层氮化镓薄膜，从而形成氮化镓基板。

主权项

一种氮化镓基板的制作方法，其包括以下步骤：在一个氮化镓单晶基板中形成一层离子植入层，所述离子植入层将氮化镓单晶基板分成第一部分与第二部分；利用接合金属层将氮化镓单晶基板与一个辅助基板连接在一起；加热使离子植入层断裂，使氮化镓单晶基板的第二部分与辅助基板分离，并在辅助基板的表面留下氮化镓单晶基板的第一部分，从而形成氮化镓基板；其中，利用接合金属层将将氮化镓单晶基板与辅助基板连接在一起的步骤包括：在氮化镓单晶基板的表面形成一层第一接合金属层；在辅助基板表面形成一层第二接合金属层；使第一接合金属层与第二接合金属层结合形成接合金属层。