发明名称 微机电结构的制造方法
摘要 在此揭露一种微机电结构的制造方法,包括以下步骤:(a)形成包含微结构、释放特征结构以及连接垫之电路层于第一基板之上表面;(b)形成抗蚀刻层于电路层上;(c)移除释放特征结构,以露出第一基板;(d)蚀刻露出之第一基板;(e)配置第二基板于电路层上方,第二基板具有第一以及第二金属层,其分别大致对准微结构及连接垫;(f)形成贯穿第一基板之孔洞;(g)填充一高分子材料于孔洞中;(h)释放微结构;(i)配置第三基板于第一基板下表面;(j)由第三基板之一侧形成连接孔,以露出第二金属层以及连接垫;以及(k)形成一导电层于连接孔中。
申请公布号 TWI445131 申请公布日期 2014.07.11
申请号 TW099147357 申请日期 2010.12.31
申请人 汉积科技股份有限公司 发明人 陈晓翔
分类号 H01L21/768;H01L21/306;B81C1/00 主分类号 H01L21/768
代理机构 代理人 刘安桓 台北市大安区忠孝东路4段303号4楼
主权项 一种微机电结构之制造方法,包括:(a)形成一电路层于一第一基板之一上表面,该电路层包括一微结构、一释放特征结构以及一连接垫,其中该释放特征结构围绕该微结构之周边的一部分并贯穿该电路层,且该释放特征结构系由一金属材料所制成,该连接垫位于该电路层之一外表面;(b)形成一抗蚀刻层于该电路层上,其中该释放特征结构露出于该抗蚀刻层;(c)藉由湿蚀刻制程移除该释放特征结构,以露出该第一基板;(d)使用一非等向性蚀刻步骤以蚀刻露出之该第一基板;(e)配置一第二基板于该电路层上方,其中该第二基板之一下表面具有一第一金属层以及一第二金属层电性连接该第一金属层,且该第一及第二金属层分别大致对准该微结构以及该连接垫;(f)形成一孔洞贯穿该第一基板,其中该孔洞大致位于该连接垫下方;(g)填充一高分子材料于该孔洞中;(h)移除位于该微结构下方之该第一基材的部分,以释放该微结构;(i)配置一第三基板于该第一基板之该下表面;(j)由该第三基板之一侧形成一连接孔,其中该连接孔贯穿该第三基板、该高分子材料以及该连接垫,而露出该第二金属层以及该连接垫;以及(k)形成一导电层于该连接孔中,以电性连接该露出的连接垫与该露出的第二金属层。
地址 新竹市水源街93号5楼之1 TW 5F.-1, NO. 93, SHUEIYUAN ST., EAST DIST., HSINCHU CITY 300, TAIWAN, R. O. C.