发明名称 单矽烷及四烷氧基矽烷的制造方法
摘要 本发明关于一种单矽烷及四烷氧基矽烷的制造方法,系使一般式(1)所表示之烷氧基矽烷,在具有以无机磷酸盐或异聚酸盐构造为基础的特定化学构造之触媒存在下,以气相进行歧化反应,;HnSi(OR)4-n (1);(式中,R表示碳原子数1~6之烷基,n系1~3之整数);本发明之制造方法系容易与溶剂分离,而且反应快速、原料物质的转化率高。
申请公布号 TWI444330 申请公布日期 2014.07.11
申请号 TW099140558 申请日期 2010.11.24
申请人 昭和电工股份有限公司 日本 发明人 大野博基;大井敏夫;伊藤晴明;马克慕塔夫 法尼尔
分类号 C01B33/04;C07F7/02;B01J27/18;B01J23/28;B01J23/30 主分类号 C01B33/04
代理机构 代理人 林志刚 台北市中山区南京东路2段125号7楼
主权项 一种单矽烷及四烷氧基矽烷的制造方法,其系使一般式(1)所表示之烷氧基矽烷在触媒的存在下,以气相进行歧化反应,制造单矽烷及四烷氧基矽烷的方法,【化1】HnSi(OR)4-n (1)(式中,R表示碳原子数1~6之烷基,n系1~3之整数)其特征为:使用由下述一般式(I)~(V)所表示之化合物群所选出之至少一个触媒:【化2】(MI2O)z(MO2)(P2O5)x(H2O)y (I)(式中,M表示Zr、Ti、Sn或Si,MI表示氢原子、NH4或硷金属,x系0.5~4.5,y系0.15~6.5,z系0.15~3.5)【化3】(MO2)(P2O5)x(H2O)y (II)(式中,M表示Zr、Ti、Sn或Si,x系0.5~4.5,y系0.15~6.5)【化4】(MI2O)z(MO2)(P2O5)x (III)(式中,M表示Zr、Ti、Sn或Si,MI表示氢原子、NH4或硷金属,x系0.5~4.5,z系0.15~3.5)【化5】MIm[MIInMIIIkOj] (IV)(式中,MI表示氢原子、NH4或硷金属,MII表示P(V)或As(V),MIII表示W(VI)或Mo(VI),n系1~3之整数,k系6、12、18或24,j系24、40或42,m系由式:2j-5n-6k所决定之整数)【化6】MIm[MIVnMIIIkOj] (V)(式中,MI表示氢原子、NH4或硷金属,MIV表示Si(IV)、Ge(IV)、Ti(IV)或Ce(IV),MIII表示W(VI)或Mo(VI),n系1~3之整数,k系6、12、18或24,j系24、40或42,m系由式:2j-4n-6k所决定之整数)。
地址 日本