氧化钇材料、半导体制造装置用构件及氧化钇材料之制造方法

摘要

本发明提供一种氧化钇材料及其制造方法，能够进一步提高氧化钇材料的机械性强度。作为半导体制造装置用构件的静电卡盘(20)的基体(22)是由氧化钇材料所构成，该氧化钇材料至少包括：氧化钇(Y2O3)、碳化矽(SiC)、以及含有RE(稀土类元素)、Si、O和N的化合物。该氧化钇材料含有以RE为La、Y等的RE8Si4N4O14作为含RE(稀土类元素)、Si、O和N的化合物。该RE8Si4N4O14是由作为原料的主成分的Y2O3和作为原料添加的Si3N4等在烧结过程中产生的化合物。通过氧化钇中含有的SiC及该化合物来提高机械性强度和体积电阻率。

主权项

一种氧化钇材料，系为含有Y2O3、SiC以及含有Y、Si、O和N的化合物，该Y、Si、O和N的化合物系为由Y2O3及Si3N4产生的Y8Si4N4O14，其特征在于：Y2O3在该氧化钇材料中的含量大于80体积%且小于等于90体积%，SiC在该氧化钇材料中的含量大于5.0体积%且小于13体积%，Si3N4在该氧化钇材料中的含量大于1.0体积%且小于10体积%，并在1500℃以上，1850℃以下的范围，且在氩气氛围下烧成的氧化钇材料。