发明名称 关于监控在微影蚀刻投影曝光设备之照明系统中的复数个反射镜排置情形的程序与装置
摘要 一种微影光蚀刻投影曝光设施(10)之照射系统(12),其具有一光瞳面及本质上平面配置之较佳为个别地可驱动的一光束偏移元件(28),其适用于光瞳面之可变的照射形式。每个光束偏移元件(28)允许入射于其上之一投射光束(32)的偏移,以施加于光束偏移元件(28)之一控制讯号之函数而达成。一量测照射仪器(54,56,58,60;88;90;98)独立于投射光束(32),导引一量测光束(36)至一光束偏移元件(28)上。在其被该光束偏移元件(28)偏移后,一侦测仪器记录该量测光束(38)。一评估单元由该侦测仪器提供之量测讯号决定投射光束(32)的偏移。
申请公布号 TWI444606 申请公布日期 2014.07.11
申请号 TW097104835 申请日期 2008.02.12
申请人 卡尔蔡司SMT有限公司 德国 发明人 史提凡;关艳文;美嘉吉;莫曼佛;艾森曼;达米安;浩赞;马格斯;弗洛安;巴德拉;强尼斯;赖麦克
分类号 G01M11/02;G03F7/20 主分类号 G01M11/02
代理机构 代理人 李宗德 台北市大安区敦化南路2段218号5楼A区
主权项 一种微影光蚀刻投影曝光设施(10)之一照射系统(12),其具有一光瞳面及实质上平面排置之较佳为个别地可驱动的复数个光束偏移元件(28),其适用于光瞳面之可变化的照射形式,各该光束偏移元件(28)允许入射于其上之一投射光束(32)的偏移系作为施加于对应之该光束偏移元件(28)之一控制讯号之一函数,其中:至少一量测照射仪器(54、56、58、60;88;90;98),独立于该投射光束(32)的一量测光束(36)藉由该量测照射仪器(54、56、58、60;88;90;98)被导向对应之该光束偏移元件(28);一侦测仪器,该量测光束(36)在由对应之该光束偏移元件(28)偏移之后藉由该侦测仪器被记录;及一评估单元,用于由该侦测仪器提供之复数个量测讯号,以决定该投射光束(32)之偏移。
地址 德国