| 发明名称 |
Ｃｕ－Ｇａ合金溅镀靶及其制造方法 |
| 摘要 |
本发明提供一种Cu-Ga合金溅镀靶，可形成膜成分组成之均匀性(膜均匀性)优异的Cu-Ga溅镀膜，且可减低溅镀中之电弧作用发生，同时强度高，而可抑制溅镀中之破裂。本发明系关于一种Cu-Ga合金溅镀靶，其系包含含有镓(Ga)的铜(Cu)基合金之溅镀靶，而其平均结晶粒径系10μm以下，且气孔率系0.1%以下。 |
| 申请公布号 |
TWI444489 |
申请公布日期 |
2014.07.11 |
| 申请号 |
TW099111625 |
申请日期 |
2010.04.14 |
| 申请人 |
钢臂功科研股份有限公司 日本 |
发明人 |
松村仁实;南部旭;得平雅也;冈本晋也 |
| 分类号 |
C23C14/34;C22C9/00;C22C1/02 |
主分类号 |
C23C14/34 |
| 代理机构 |
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代理人 |
林志刚 台北市中山区南京东路2段125号7楼 |
| 主权项 |
一种Cu-Ga合金溅镀靶，其系包含Ga含量为20原子%以上29原子%以下之Cu-Ga合金之溅镀靶，其平均结晶粒径系0.5μm~10μm，且气孔率系0.1%以下，氧含量为500ppm以下。 |
| 地址 |
日本 |
