发明名称 |
包含用于穿矽通道的穿透结构之用于堆叠晶粒的互连结构,以及相关联的系统及方法 |
摘要 |
本发明揭示包含用于穿矽通道的穿透结构之用于堆叠晶粒的互连结构,以及相关联的系统及方法。根据一特定实施例,一系统包含具有一第一基板材料之一第一半导体基板及由该第一半导体基板承载之一穿透结构。该系统进一步包含具有带有一预形成凹部之一第二基板材料之一第二半导体基板。该第一半导体基板之该穿透结构系容纳于该第二半导体基板之该凹部中且与该凹部机械地啮合并固定至该第二半导体基板。 |
申请公布号 |
TWI445151 |
申请公布日期 |
2014.07.11 |
申请号 |
TW098128888 |
申请日期 |
2009.08.27 |
申请人 |
美光科技公司 美国 |
发明人 |
菲 欧文R;范沃斯 华伦M;亨布里 大卫R |
分类号 |
H01L23/52;H01L21/768;H01L21/30 |
主分类号 |
H01L23/52 |
代理机构 |
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代理人 |
陈长文 台北市松山区敦化北路201号7楼 |
主权项 |
一种半导体系统,其包括:一第一半导体基板,其具有一第一基板材料;一第一传导材料,其由该第一半导体基板承载且形成一穿透结构;一第二半导体基板,其具有带有一第一表面、背对该第一表面之一第二表面及沿一通道轴自该第一表面延伸至该第二表面之一穿基板通道之一第二基板材料;及一第二传导材料,其由该第二半导体基板承载且具有沿该通道轴定位之一预形成凹部,该穿透结构容纳于该凹部中且与该第二传导材料机械及电接触,该第二传导材料具有自该通道轴在该凹部内之一第一位置之一第一距离,以及较该第一距离更长之自该通道轴在该凹部内之一第二位置之一第二距离,其中该第二位置在该凹部中系深于该第一位置。 |
地址 |
美国 |