非挥发性半导体记忆装置

摘要

本发明提供一种具有具高可靠性之电荷储存层之非挥发性半导体记忆装置。;复数个绝缘膜与复数个电极膜14交替地堆叠于一基板11上，且在其上提供在X方向上延伸之复数个选择闸极电极17及在Y方向上延伸之复数个位元线BL。提供U形矽构件33，其中之每一者系由以下各者构成：穿过该等电极膜14及该选择闸极电极17之复数个矽柱31，其上部末端连接至该等位元线BL；及连接该等矽柱31中之一对矽柱31之下部部分的一连接构件32，其安置于对角位置中。每一层之该电极膜14经划分以用于该等各别选择闸极电极17。使该等矽柱31中经由该连接构件32而彼此连接之一对矽柱31穿过该等不同电极膜14及该等不同选择闸极电极17。共同地连接至一位元线BL之该等U形矽构件33中之全部共同地连接至另一位元线BL。

主权项

一种非挥发性半导体记忆装置，其包含：一堆叠本体，复数层之绝缘膜与复数层之电极膜交替地堆叠于其中；复数之选择闸极电极，其系设置于该堆叠本体上；复数之位元线，其系设置于该等选择闸极电极上；复数之半导体柱，其穿过该堆叠本体及该等选择闸极电极，其上部末端连接至该等位元线；一连接构件，其连接该等半导体柱中之一者的一下部部分与该等半导体柱中之另一者的一下部部分；及一电荷储存层，其设置于该电极膜与该半导体柱之间；上述复数层中之每一者的该电极膜经划分以用于该等选择闸极电极中之每一者；该等半导体柱中经由该连接构件而彼此连接之一对半导体柱穿过彼此不同之该等电极膜及彼此不同之该等选择闸极电极；且共同地连接至该等位元线中之一者的复数之上述连接构件共同地连接至该等位元线中之另一者；其中该选择闸极电极在与该等绝缘膜及该等电极膜之一堆叠方向正交的一第一方向上延伸，该位元线在与该堆叠方向正交且与该第一方向交叉之一第二方向上延伸，且该连接构件在与该堆叠方向正交且向该第一方向及该第二方向两者倾斜之一方向上延伸，并且连接于相邻位元线之间。