发明名称 耐蚀性构件
摘要 本发明系提供一种提升曝露于卤素系腐蚀气体或卤素系气体电浆雰围中所曝露面之耐蚀性,可长期适用于如:半导体制造装置内、平面显示器制造装置内、或太阳电池制造装置内。因此,藉由以含有Gd或Yb、且含有铁族金属化合物以氧化物换算下为多于5ppm、少于50ppm之氧化物被膜,形成耐蚀性构件后,对于卤素系腐蚀气体或卤素系气体电浆,可确保足够的耐蚀性,减少微粒的产生。
申请公布号 TWI444331 申请公布日期 2014.07.11
申请号 TW097145508 申请日期 2008.11.25
申请人 日本陶瓷科技股份有限公司 日本 发明人 下嶋浩正;酒卷诚;传井美史;井上幸生
分类号 C01F17/00;C23C30/00 主分类号 C01F17/00
代理机构 代理人 林志刚 台北市中山区南京东路2段125号7楼
主权项 一种耐蚀性构件,其特征系于基材上形成含有Gd之氧化物被膜所成,该氧化物被膜中含有铁族金属化合物以氧化物换算下为多于5ppm且少于50ppm。
地址 日本