半导体装置及其制造方法

摘要

所提供者系一半导体装置，其形成有一沟渠部份，用于提供一于闸极宽度方向中具有连续变化之深度的凹入部份；与形成有一闸极，其经由一闸极绝缘薄膜设在该沟渠部份内且在其顶部表面上。在形成该闸极之前，杂质藉由离子植入从该沟渠部份之内部壁面被加至该源极区域及该汲极区域之至少一部份，且接着施行热处理，用于扩散及活化，以由该沟渠部份之表面往下至其底部形成一扩散区域。在高密度流经该闸极之凹入部份的顶部表面之电流能均匀地流经该整个沟渠部份。

主权项

一种半导体装置，包括：一第一导电率型半导体基板；一沟渠结构，其形成在该第一导电率型半导体基板中，且于一闸极宽度方向，该沟渠结构包含一空穴且具有一平面表面；一闸极，其包含占据整个藉由该沟渠结构所界定之空穴的一图案化结构，且经由一闸极绝缘薄膜形成在该平面表面上，该闸极具有变化的闸极长度尺寸；一第二导电率型之源极区域，其形成在该闸极的一侧面上；及该第二导电率型的一汲极区域，其形成在该闸极之另一侧面上，其中至少一部份的该源极区域及至少一部份的该汲极区域将该沟渠结构夹在中间且面朝彼此，且具有由该沟渠结构之顶部表面至其底部与较深位置之一的深度，其中该闸极与在该源极区域及该汲极区域之一的表面上之平面部份接点间之距离-系比该闸极与在该源极区域及该汲极区域之一的该表面上之沟渠部份接点间之距离较短，及其中，该沟渠部份接点系与该沟渠结构的该空穴呈一直线，且该平面部份接点与该平面表面呈一直线。