半导体发光二极体晶片、其制造方法及其品质控制方法

摘要

本发明提供一种半导体发光二极体晶片、一种用以制造该半导体发光二极体晶片之方法、以及一种使用该半导体发光二极体晶片之用于品质控制的方法。该半导体发光二极体晶片包括基板；在基板之一区域中之发光二极体，以及形成在基板之其它区域之至少一熔丝标志电路，用以与发光二极体电性隔离。熔丝标志电路包括电路单元以及复数个连接于电路单元之电极垫，该电路单元具有对应于基于晶圆的制程资讯的独特电气特征值。半导体发光二极体晶片可包括代表资讯的晶片资讯标志。

主权项

一种半导体发光二极体晶片，包括：基板；发光二极体，包括形成在该基板之一区域且包括第一与第二复合半导体层以及形成于该第一与第二复合半导体层之间之主动层的发光层板，以及分别电性连接于该第一与第二复合半导体层的第一与第二电极；以及至少一熔丝标志电路，形成在基板之其它区域，用以电性隔离该发光二极体，且包括电路单元，该电路单元具有对应于基于晶圆的制程资讯的独特电气特征值以及复数个连接于该电路单元之电极垫，以量测该电气特征值；其中该电路单元包括复数个半导体元件与复数条熔丝连接于该复数个半导体元件的复数条熔丝，且该电路单元之该电气特征值系透过选择性切割该复数条熔丝来加以决定，且其中，该复数个半导体元件包括至少一半导体层，系与包含在该发光二极体层板内的该半导体层一起生长。